根据平行穿过磁场的强弱和角度不同，阻抗值发生变化的AMR桥阻与ASIC集成在单芯片中。通过与磁铁配合，进行非接触式位置检测。相比于霍尔传感器具有更高的精度（回差可以小于3高斯），对磁场平行感应，和不同方向的AMR桥阻配合实现360°两维感应的特点。 主要应用于不同感应角度与低功耗高频感应的应用场合，现有两个产品线，磁阻一维感应开关与磁阻二维感应开关。
磁阻一维感应开关：内置单路AMR桥阻，实现±25°夹角内磁场的检测。典型应用于需要防止剩磁干扰的精确位置检测。
磁阻二维感应开关：内置多路AMR桥阻，通过不同角度的摆放，实现360°平面内磁场的检测，典型应用于需要大感应角度的磁场的位置检测。
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磁阻一维感应开关：
磁阻二维感应开关：
